| Typ | Klare Quarzplatte |
|---|---|
| Anwendung | Halbleiter, optisch |
| Dicke | 0,5-100mm |
| Form | Quadrat |
| Verarbeitungsdienst | Biegen, Schweißen, Stanzen, Schneiden, Polieren |
| Typ | Verfrorene Quarzplatte |
|---|---|
| Anwendung | Halbleiter, optisch |
| Stärke | 0.5-100 mm |
| Form | Schritt |
| Verarbeitungsdienst | Bogen, Schweißen, Streichen, Polieren |
| Material | SiO2 |
|---|---|
| Härte | Morse 6,5 |
| Betriebstemperatur | 1200℃ |
| Oberflächenbeschaffenheit | 20/40 oder 40/60 |
| Dieletric-Stärke | 250~400Kv/cm |
| Material | SiO2 |
|---|---|
| Härte | Morse 6,5 |
| Betriebstemperatur | 1100℃ |
| Oberflächenbeschaffenheit | 20/40 oder 40/60 |
| Dieletric-Stärke | 250~400Kv/cm |
| Material | SiO2 |
|---|---|
| Härte | Morse 6,5 |
| Betriebstemperatur | 1100℃ |
| Oberflächenbeschaffenheit | 20/40 oder 40/60 |
| Dieletric-Stärke | 250~400Kv/cm |
| Typ | Klare Quarz-Platte |
|---|---|
| Anwendung | Halbleiter, optisch |
| Dicke | 0.5-100mm |
| Form | Quadrat |
| Verarbeitungsdienst | Verbiegen, schweißend und lochen, Schnitt und polieren |
| Typ | Verfrorene Quarzplatte |
|---|---|
| Anwendung | Halbleiter, optisch |
| Stärke | 0.5-100 mm |
| Form | Schritt |
| Verarbeitungsdienst | Bogen, Schweißen, Streichen, Polieren |
| Material | SiO2 |
|---|---|
| Härte | Morse 6,5 |
| Betriebstemperatur | 1200℃ |
| Oberflächenbeschaffenheit | 20/40 oder 40/60 |
| Dieletric-Stärke | 250~400Kv/cm |
| Material | SiO2 |
|---|---|
| Härte | Morse 6,5 |
| Betriebstemperatur | 1100℃ |
| Oberflächenbeschaffenheit | 20/40 oder 40/60 |
| Dieletric-Stärke | 250~400Kv/cm |
| Material | SiO2 |
|---|---|
| Härte | Morse 6,5 |
| Betriebstemperatur | 1200℃ |
| Oberflächenbeschaffenheit | 20/40 oder 40/60 |
| Dieletric-Stärke | 250~400Kv/cm |