Typ | Quarzwaferträger |
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Anwendung | Halbleiter, optisch |
Stärke | 0.5-100 mm |
Form | Quadrat |
Verarbeitungsdienst | Bogen, Schweißen, Streichen, Polieren |
Typ | Durchsichtige Quarzplatte |
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Anwendung | Halbleiter, optisch |
Stärke | 0.5-100 mm |
Form | Quadrat/Runde |
Verarbeitungsdienst | Bogen, Schweißen, Streichen, Polieren |
Material | SiO2 |
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Härte | Morse 6,5 |
Betriebstemperatur | 1200℃ |
Oberflächenbeschaffenheit | 20/40 oder 40/60 |
Dieletric-Stärke | 250~400Kv/cm |
Produkt-Name | Laborreagensflasche |
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Material | SIO2>99.9% |
Dichte | 2.2g/cm3 |
Betriebstemperatur | 1100℃ |
Saure Toleranz | 30mal als Keramik, 150mal als Edelstahl |
Typ | Durchsichtige Quarzplatte |
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Anwendung | Halbleiter, optisch |
Stärke | 0.5-100 mm |
Form | Quadrat |
Verarbeitungsdienst | Bogen, Schweißen, Streichen, Polieren |
Typ | Klares Quarzrohr |
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Anwendung | Halbleiter, optisch |
Stärke | 0.5-100 mm |
Form | Halbkreisförmig |
Verarbeitungsdienst | Bogen, Schweißen, Streichen, Polieren |
Typ | Durchsichtige Quarzplatte |
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Anwendung | Halbleiter, optisch |
Stärke | 0.5-100 mm |
Form | Quadrat |
Verarbeitungsdienst | Bogen, Schweißen, Streichen, Polieren |
Material | SiO2 |
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Härte | Morse 6,5 |
Betriebstemperatur | 1100℃ |
Oberflächenbeschaffenheit | 20/40 oder 40/60 |
Dieletric-Stärke | 250~400Kv/cm |
Material | SiO2 |
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Härte | Morse 6,5 |
Betriebstemperatur | 1100℃ |
Oberflächenbeschaffenheit | 20/40 oder 40/60 |
Dieletric-Stärke | 250~400Kv/cm |
Material | SiO2 |
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Härte | Morse 6,5 |
Betriebstemperatur | 1200℃ |
Oberflächenbeschaffenheit | 20/40 oder 40/60 |
Dieletric-Stärke | 250~400Kv/cm |