Maßgeschneiderte Polier-Laserbohr-Quarzglasplatte mit 99,99 % SiO₂-Reinheit für Halbleiteranwendungen. Verfügt über eine hohe Temperaturbeständigkeit (1100 °C Arbeitstemperatur), eine Dichte von 2,2 g/cm³ und unterstützt individuelles Schneiden/Stanzen mit kostenlosen Mustern.
Hochreine Quarzglasplatten mit 99,99 % SiO2, >92 % Lichtdurchlässigkeit, 1732 °C Schmelzpunkt und 1150 °C Arbeitstemperatur. Benutzerdefinierte Größen (1–800 mm Durchmesser, 0,2–100 mm Dicke) mit Stanz-/Schneideoptionen. JGS-Standards, korrosionsbeständig, hochtemperaturbeständig für Halbleiter-, Laser- und optische Anwendungen.
Hochdurchlässiges Quarzglasrohr mit 99,99 % SiO₂-Gehalt, Arbeitstemperatur bis zu 1100 °C, Außendurchmesserbereich 10–10000 mm. Ideal für Halbleitergeräte, Hochtemperaturöfen und Laborreaktoren. Individuelles Zuschneiden/Stanzen mit kostenlosen Mustern möglich.
High Temperature Resistant Clear Quartz Glass Tube No Bubbles Fused Silica Pipe for Semiconductor Diffusion Furnace Product Characteristics SiO₂ Content 99.9% Density 2.2 g/cm³ Hardness (Moh's Scale) 6.6 Melting Point 1732℃ Working Temperature 1100℃ Max Short-term Temperature 1450℃ Visible Light ...
High Temperature Resistant Clear Quartz Glass Tube No Bubbles Fused Silica Pipe for Semiconductor Diffusion Furnace Product Characteristics SiO₂ Content 99.9% Density 2.2 g/cm³ Hardness (Moh's Scale) 6.6 Melting Point 1732℃ Working Temperature 1100℃ Max Short-term Temperature 1450℃ Visible Light ...
Hochpräzises Quarz-Schraubgewinderohr mit 99,99 % SiO₂-Gehalt, Arbeitstemperatur bis 1100℃, Schmelzpunkt 1732℃. Hochtemperaturbeständig, korrosionsbeständig, ideal für Laborforschung, Halbleiter und universitäre Lehranwendungen.
Direkt ab Werk hergestelltes hochreines Quarzrohr mit 99,99 % SiO₂-Gehalt, hält Temperaturen von 1200 °C stand. Kundenspezifische Größen mit einem Außendurchmesser von 10–10.000 mm, ideal für Halbleiter-, Hochtemperaturöfen und Laboranwendungen. Kostenlose Muster verfügbar.
Hochtransparente Polierflasche aus Quarzglas für Chemielaborexperimente. Verfügt über einen SiO₂-Gehalt von 99,99 %, einen Schmelzpunkt von 1732 °C, eine Arbeitstemperatur von 1100 °C und eine Härte von 6,6. Ideal für Laborforschung, Halbleiterprozesse und universitäre Lehranwendungen.
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