Material | 99,99% |
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Helle Beförderung | 92% |
Dichte | 2.2g/cm3 |
Arbeits-Temparature | 1100℃ |
Härte | Morse 6,5 |
Material | SiO2 |
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Härte | Morse 6,5 |
Betriebstemperatur | 1100℃ |
Oberflächenbeschaffenheit | 20/40 oder 40/60 |
Dieletric-Stärke | 250~400Kv/cm |
Material | SIO2>99.999% |
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Dichte | 2,2 (g/cm3) |
Helle Beförderung | >92% |
Härte | Morse 6,5 |
Betriebstemperatur | 1100℃ |
Name | Quarz-Glas-Platte der hohen Temperatur |
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Typ | Durchsichtige Quarzplatte |
Anwendung | Halbleiter, optisch |
Stärke | 0.5-100 mm |
Form | Quadrat |
Typ | Durchsichtige Quarzplatte |
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Anwendung | Halbleiter, optisch |
Stärke | 0.5-100 mm |
Form | Quadrat |
Verarbeitungsdienst | Schlagen, Schneiden |
Typ | Durchsichtige Quarzplatte |
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Anwendung | Halbleiter, optisch |
Stärke | 3-100mm |
Form | Quadrat |
Verarbeitungsdienst | Schlagen, Schneiden |
Produktname | Quarzglasplatte |
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Material | 99,99% |
Helle Beförderung | 92% |
Dichte | 2.2g/cm3 |
Arbeits-Temparature | 1100℃ |
Typ | Durchsichtige Quarzplatte |
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Anwendung | Halbleiter, optisch |
Stärke | 0.5-100 mm |
Form | Quadrat |
Verarbeitungsdienst | Schlagen, Schneiden |
Produktname | Quarz-Glasplatte |
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Material | Sio2 |
Arbeits-Temparature | 1200℃ |
Schmelzpunkt | 1850℃ |
Form | Quadrat/rundes/irgendeine Form |
Name | High Temperature Quartz Glass Plate |
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Type | Clear Quartz Plate |
Application | Semiconductor, optical |
Thickness | 0.5-100mm |
Shape | Square |