Material | SIO2 > 99,99 % |
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Dichte | 2,2 g/cm3 |
Lichtdurchlässigkeit | 92% |
Härte | Morsezeichen 6.5 |
Arbeitstemperatur | 1100℃ |
Typ | Klare Quarzplatte |
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Anwendung | Halbleiter, optisch |
Dicke | 0,5-100mm |
Form | Quadrat |
Verarbeitungsdienst | Biegen, Schweißen, Stanzen, Schneiden, Polieren |
Material | SIO2>99.99% |
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Dichte | 2,2 (g/cm3) |
Helle Beförderung | >92% |
Härte | Morse 6,5 |
Betriebstemperatur | 1100℃ |
Material | SiO2 |
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Arbeits-Temparature | 1200℃ |
Schmelzpunkt | 1850℃ |
Form | Quadrat/rundes/irgendeine Form |
Stärke | 1mm-50mm |
Material | 99,99% |
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Helle Beförderung | 92% |
Dichte | 2.2g/cm3 |
Arbeits-Temparature | 1100℃ |
Härte | Morse 6,5 |
Material | SiO2 |
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Härte | Morse 6,5 |
Betriebstemperatur | 1100℃ |
Oberflächenbeschaffenheit | 20/40 oder 40/60 |
Dieletric-Stärke | 250~400Kv/cm |
Material | 99,99% |
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Helle Beförderung | 92% |
Dichte | 2.2g/cm3 |
Arbeits-Temparature | 1100℃ |
Härte | Morse 6,5 |
Material | SiO2 |
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Härte | Morse 6,5 |
Betriebstemperatur | 1100℃ |
Oberflächenbeschaffenheit | 20/40 oder 40/60 |
Dieletric-Stärke | 250~400Kv/cm |
Material | SiO2 |
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Härte | Morse 6,5 |
Betriebstemperatur | 1100℃ |
Oberflächenbeschaffenheit | 20/40 oder 40/60 |
Dieletric-Stärke | 250~400Kv/cm |
Material | SiO2 |
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Härte | Morse 6,5 |
Betriebstemperatur | 1200℃ |
Oberflächenbeschaffenheit | 20/40 oder 40/60 |
Dieletric-Stärke | 250~400Kv/cm |